參數(shù)資料
型號: STP4NC80Z
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 800V - 2.4ohm - 4A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述: N溝道800V的- 2.4ohm - 4A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK齊保護的PowerMESH⑩三MOSFET的
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代理商: STP4NC80Z
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STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z-1
D
2
PAK FOOTPRINT
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
* on sales type
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
24.4
100
0.059
0.504
0795
0.960
3.937
13.2
0.520
26.4
1.039
30.4
1.197
BASE QTY
1000
BULK QTY
1000
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
10.5
15.7
1.5
1.59
1.65
11.4
4.8
3.9
11.9
1.9
50
0.25
23.7
MAX.
10.7
15.9
1.6
1.61
1.85
11.6
5.0
4.1
12.1
2.1
MIN.
0.413
0.618
0.059
0.062
0.065
0.449
0.189
0.153
0.468
0.075
1.574
0.0098 0.0137
0.933
MAX.
0.421
0.626
0.063
0.063
0.073
0.456
0.197
0.161
0.476
0.082
A0
B0
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
T
W
0.35
24.3
0.956
TAPE MECHANICAL DATA
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PDF描述
STP50NE08 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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STP4NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NK50ZD 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NK50ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube