參數(shù)資料
型號： STP4NC60FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 356K
代理商： STP4NC60FP
3/10
STP4NC60/FP/STB4NC60-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300V, I
D
= 2A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 480V, I
D
= 4A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
14
ns
t
r
Rise Time
14
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
16.5
23.1
nC
Gate-Source Charge
2.5
nC
Gate-Drain Charge
9
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 4A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
15
ns
Fall Time
19
ns
Cross-over Time
24
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
4.2
A
Source-drain Current (pulsed)
16.8
A
Forward On Voltage
I
SD
= 4.2A, V
GS
= 0
I
SD
= 4A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
600
ns
Reverse Recovery Charge
2.7
μC
Reverse Recovery Current
9
A
Safe Operating Area for TO-220FP
Safe Operating Area for TO-220 / I
2
PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP4NC80ZFP CAP 3300PF 50V 5% X7R SMD-0603 TR-7 PLATED-NI/SN AUTO
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP4NK50ZD 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NK50ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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