參數(shù)資料
型號： STP4NC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： INTEGRATED EC000 MPU
中文描述： N溝道600V的- 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 356K
代理商： STP4NC60
STP4NC60/FP/STB4NC60-1
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THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
TO-220/I
2
PAK
1.25
TO-220FP
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
3.57
°C/W
°C/W
62.5
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
4.2
Unit
A
250
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
=1.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
1.8
2.2
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 2A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
3.7
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
475
pF
Output Capacitance
72
pF
Reverse Transfer
Capacitance
10
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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