參數(shù)資料
型號(hào)： STP4NB50FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： STP4NB50FP
Fig. 1:
Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode RecoveryTimes
STP4NB50/FP
4/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP4NB50 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STP4NB80FP N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NB80 N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NC50 N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
STP4NC50FP INTEGRATED EC000 MPU
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP4NB80 功能描述:MOSFET RO 512-FQP4N80 3/05 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NB80FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STME 功能描述:
STP4NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
STP4NC50FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
STP4NC60 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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