參數(shù)資料
型號： STP4NB30
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
中文描述： N溝道300V - 1.8ohm -第4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩MOSFET的
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代理商： STP4NB30
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STP4NB30/STP4NB30FP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 150V, I
D
= 2.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 240V, I
D
= 5 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
9
ns
t
r
Rise Time
9
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
12
16
nC
Gate-Source Charge
7.5
nC
Gate-Drain Charge
3
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 240V, I
D
= 5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
10
ns
Fall Time
7
ns
Cross-over Time
15
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
4
A
Source-drain Current (pulsed)
16
A
Forward On Voltage
I
SD
= 4 A, V
GS
= 0
I
SD
= 5 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.5
V
Reverse Recovery Time
180
ns
Reverse Recovery Charge
800
nC
Reverse Recovery Current
9
A
Safe Operating Area for TO-220FP
Safe Operating Area for TO-220
相關PDF資料
PDF描述
STP4NB30FP N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB50FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STP4NB50 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STP4NB80FP N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NB80 N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STP4NB50FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
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STP4NB80FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STME 功能描述:
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