參數(shù)資料
型號： STP4NB100FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 1000V-4Ω-3.8A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道1000V -4Ω- 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： STP4NB100FP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 500 V
R
G
= 4.7
I
D
= 2 A
V
GS
= 10 V
20
9
28
13
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=800 V
I
D
=4 A V
GS
= 10 V
32
12
11
45
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 800 V
R
G
= 4.7
I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V
15
12
20
21
17
28
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
3.8
15.2
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 3.8 A
V
GS
= 0
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 3.8 A
V
DD
= 100 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
750
5.4
14.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
STP4NB100/FP
3/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP4NB100 N-Channel 1000V-4Ω-3.8A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NB30 N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB30FP N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB50FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STP4NB50 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP4NB30 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB30FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB50 功能描述:MOSFET RO 511-STP4NK50Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NB50FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB80 功能描述:MOSFET RO 512-FQP4N80 3/05 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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