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參數(shù)資料
| 型號： | STP45N10 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel 100V-0.027Ω-45A- TO-220/TO-220FI Power MOS Transistor(N溝道功率MOS晶體管) |
| 中文描述： | N溝道100V的，0.027Ω- 45A條，TO-220/TO-220FI功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 432K |
| 代理商： | STP45N10 |
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STP45N10/FI
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STP45N60DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:93 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
| STP45N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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