參數(shù)資料
型號： STP40NF12
廠商： 意法半導體
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大?。?/td> 348K
代理商： STP40NF12
STB40N20 - STP40N20 - STW40N20
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Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
( )
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
j
T
stg
Storage Temperature
( ) Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
≤
40A, di/dt
≤
200 A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
Table 4: Thermal Data
Table 5: Avalanche Characteristics
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
Parameter
Value
200
Unit
V
200
V
± 20
V
40
A
25
A
160
A
160
W
1.28
12
W/°C
V/ns
°C
Operating Junction Temperature
-55 to 150
TO-220/
TO-247
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Maximum Lead Temperature For Soldering
Purpose
0.78
°C/W
°C/W
°C
62.5
50
300
Parameter
Max Value
40
Unit
A
230
mJ
相關PDF資料
PDF描述
STP40NS15 N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-220 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STP40NF10 CONNECTOR ACCESSORY
STP40NE03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE” POWER MOSFET
STP45N10 N-Channel 100V-0.027Ω-45A- TO-220/TO-220FI Power MOS Transistor(N溝道功率MOS晶體管)
STP4N100 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STP40NS15 功能描述:MOSFET N-Ch 150 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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