參數(shù)資料
型號(hào)： STP40NF10L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 272K
代理商： STP40NF10L
3/8
STP40NF10L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 50 V, I
D
= 20 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 80V, I
D
=40A,V
GS
= 5V
Min.
Typ.
Max.
Unit
25
ns
t
r
Rise Time
82
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
46
64
nC
Gate-Source Charge
12
nC
Gate-Drain Charge
22
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 50 V, I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Vclamp =80V, I
D
= 40 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
64
24
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
t
d(off)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
51
29
53
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
40
A
Source-drain Current (pulsed)
160
A
Forward On Voltage
I
SD
= 40 A, V
GS
= 0
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 40 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 30V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
110
467
8
ns
nC
A
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP4NA100 32BIT W/ CACHE, MMU, FPU
STP4NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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STP4NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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STP411B-320-E 制造商:Seiko Instruments Inc (SII) 功能描述:
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