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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP40N03L-20 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式高密度功率ＭＯＳ晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式高密度功率馬鞍山晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | STP40N03L-20 |
PSPICE NETLIST OF THE SUBCIRCUIT
. SUBCKT STP40N03L-20 1 2 3
*VALUE OF THE PACKAG E INDUCTANCES
LS 1 11 10n
LG 2 12 10n
LD 3 13 7n
*RESISTA NCE OF THE G AT E
POLYSILI CON
RG 12 16 1
*EPY AND DRIF T RESISTANCES
RD 13 14 1. 9e-02
EDRI 14 15 POLY(2) (13 14) (13 11) 0 0 0 0
1e-3
*CAPACITANCE G ATE SO URCE
CGS 16111.90n
*OPT IO NAL FO R NEGAT IVE GATE BIAS
*S2 51 111116 SWI TCH
*CGN 51 16 3.92n
*RGN 51 16 10k
*MILLER CAPACI TANCE
CGD 16 17 3.92n
* DEPLET ION CAPACIT ANCE
DGD 17 14 DGD
S1 17 14 16 14 SW ITCH
.MODEL DGD D +IS=
+CJO =2. 6n
+Vj=.1
+M=.6
. MODEL SWITCH VSW IT CH
+RON=1m
+ROF F=1MEG
+VON=0. 1
* OUTPUT CAPACITANCE AND BODY DRAI N DI ODE
DBD 11 14 DBD
.MODEL DBD D
+TT=20n
+CJO =7. 8n
+VJ=.1
+M=.6
* MODEL OF THE MOSFET
MMAI N 15 16 11 11 MMAI N L=1u W =1u
. MODEL MMAIN NMO S
+LEVEL=3
+TOX=1
+VTO =3. 25
+uo=600
+THETA=0.005
+VMAX=5e7
+KP=28
.ENDS
Power Mosfet Model Subcircuit
STP40N03L-20
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| STP6X25MRD | INTERCONNECTION DEVICE |
| STP6X3M | INTERCONNECTION DEVICE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP40N05 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
| STP40N05FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |
| STP40N06 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
| STP40N06FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |
| STP40N06L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220AB |
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