參數(shù)資料
型號： STP3NC90ZFP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道900V - 3.2ohm - 3.5A的TO-220/TO-220FP/I2PAK齊保護的PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 335K
代理商： STP3NC90ZFP
3/11
STP3NC90Z/FP/STB3NC90Z-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
GATE-SOURCE ZENER DIODE
Symbol
BV
GSO
Gate-Source Breakdown
Voltage
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
3.
V
BV
=
α
T (25°-T) BV
GSO
(25°)
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally
be applied from gate to souce. In this respect the 25V Zener voltage is appropiate to achieve an efficient
and cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid
the usage of external components.
Test Conditions
V
DD
= 450 V, I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 720V, I
D
= 3A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Rise Time
28
ns
t
r
14
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
27
38
nC
Gate-Source Charge
8
nC
Gate-Drain Charge
10
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 720V, I
D
= 3 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
16
ns
Fall Time
10
ns
Cross-over Time
18
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
3.5
A
Source-drain Current (pulsed)
14
A
Forward On Voltage
I
SD
= 3 A, V
GS
= 0
I
SD
= 3 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
712
ns
Reverse Recovery Charge
4450
μC
Reverse Recovery Current
13
A
Parameter
Test Conditions
Igs=± 1mA (Open Drain)
Min.
25
Typ.
Max.
Unit
V
α
T
Voltage Thermal Coefficient
T=25°C Note(3)
1.3
10
-4
/°C
Rz
Dynamic Resistance
I
D
= 50 mA
90
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP3NC90Z N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STP40N20 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STP4020PQFP PC Card Support
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STP40N05FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP3NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP3NK60ZFP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP
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