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參數(shù)資料
| 型號： | STP3NC70ZFP |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| 中文描述： | N溝道高達700V - 4.1ohm -包2.5a TO-220/TO-220FP齊保護的PowerMESH⑩三MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | STP3NC70ZFP |
3/10
STP3NC70Z/STP3NC70ZFP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
GATE-SOURCE ZENER DIODE
Symbol
BV
GSO
Gate-Source Breakdown
Voltage
α
T
Voltage Thermal Coefficient
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
3.
V
BV
=
α
T (25°-T) BV
GSO
(25°)
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally
be applied from gate to souce. In this respect the 25V Zener voltage is appropiate to achieve an efficient
and cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid
the usage of external components.
Test Conditions
V
DD
= 350 V, I
D
= 1.25 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 560V, I
D
= 2.5A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
14
ns
t
r
Rise Time
11
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
17
24
nC
Gate-Source Charge
4
nC
Gate-Drain Charge
7
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 560V, I
D
= 2.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
16
ns
Fall Time
33
ns
Cross-over Time
40
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
2.5
A
Source-drain Current (pulsed)
10
A
Forward On Voltage
I
SD
= 2.5 A, V
GS
= 0
I
SD
= 2.5 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 27V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
175
ns
Reverse Recovery Charge
0.6
μC
Reverse Recovery Current
7.5
A
Parameter
Test Conditions
Igs=± 1mA (Open Drain)
Min.
25
Typ.
Max.
Unit
V
T=25°C Note(3)
1.3
10
-4
/°C
Rz
Dynamic Resistance
I
D
= 50 mA, V
GS
= 0
90
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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