參數(shù)資料
型號： STP3NB100FP
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道1000V -5.3Ω- 3A條，TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： STP3NB100FP
THERMAL DATA
TO-220
TO220-FP
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Max
1.25
3.57
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
3
A
E
AS
244
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
1000
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
c
= 125
o
C
1
50
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V
I
D
= 1.5 A
5.3
6
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
3
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 1.5 A
1.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
700
80
4
pF
pF
pF
STP3NB100/FP
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP3NB100 N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STP3NB80FP N-Channel 800V-4.6Ω-2.6A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP3NC50 N-CHANNEL 500V - 3ohm - 2.8A TO-220 PowerMesh⑩II MOSFET
STP3NC70ZFP N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STP3NC70Z N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP3NB60FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB(FP)
STP3NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP3NB80FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 4.6ohm - 2.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP3NB90 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 900V - 4 ohm - 3.5 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
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