- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382562 > STP33N10FI (意法半導(dǎo)體) N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP33N10FI |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 199K |
| 代理商： | STP33N10FI |
Turn-on Current Slope
Turn-off Drain-source Voltage Slope
Cross-over Time
Switching Safe Operating Area
Source-drain Diode Forward Characteristics
Accidental Overload Area
STP33N10/FI
6/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP3NA100FI | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管) |
| STP3NA100 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管) |
| STP3NB100FP | N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STP3NB100 | N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STP3NB80FP | N-Channel 800V-4.6Ω-2.6A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP33N60DM2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP33N60M2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V, 0.090 Ohm, 26A, MDmesh II Plus,N-CHL,TO-220. |
| STP33N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:41.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP3471PGM | 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述: |
| STP3481 | 制造商:STANSON 制造商全稱:STANSON 功能描述:P Channel Enhancement Mode MOSFET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。