參數(shù)資料
型號： STP2NC70Z
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道高達(dá)700V - 7.3ohm - 1.4A的TO-220/FP/DPAK/IPAK齊保護(hù)的PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 8/13頁
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代理商： STP2NC70Z
STP2NC70Z, STP2NC70ZFP, STD1NC70Z, STD1NC70Z-1
8/13
DIM.
mm
TYP.
1.27
16.4
inch
TYP.
0.050
0.645
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP2NC70ZFP N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STD20NE03L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA
STD20NE03L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
STD22NM20NT4 N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET
STD22NM20N N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP2NC70ZFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STP2NK100Z 功能描述:MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP2NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 1.4Amp 511-STP22NF03L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP2NK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP300NH02L 功能描述:MOSFET N Ch 600V 19A Pwr MESH IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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