參數(shù)資料
型號(hào)： STP22NE03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式“的單一的功能SIZETM”功率MOSFET（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/5頁
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代理商： STP22NE03L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
td(on)
tr
Turn-on Time
Rise Time
VDD = 15 V
ID = 11 A
RG =4.7
VGS = 5 V
15
70
20
100
ns
Qg
Qgs
Qgd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
VDD = 24 V
ID = 22 A
VGS = 5 V
13
6
18
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
tr(Voff)
tf
tc
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
VDD = 24 V
ID = 22 A
RG =4.7
VGS = 5 V
13
33
55
18
46
77
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ISD
ISDM(
)
Source-drain Current
(pulsed)
22
88
A
VSD (
)
Forward On Voltage
ISD = 22 A
VGS = 0
1.5
V
trr
Qrr
IRRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
ISD = 22 A
di/dt = 100 A/
s
VDD = 15 V
Tj = 150
oC
40
44
2.2
ns
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STP22NE03L
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP40N03L-20 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式高密度功率ＭＯＳ晶體管)
STP6X25MRD INTERCONNECTION DEVICE
STP6X3M INTERCONNECTION DEVICE
STP6X19RD INTERCONNECTION DEVICE
STP6X15MVL INTERCONNECTION DEVICE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP22NF03L 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
STP22NF03L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.0038ヘ - 22A - TO-220 STripFET⑩ II Power MOSFET
STP22NF03L_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30 V, 0.0038 Ω, 22 A, TO-220 STripFET? II Power MOSFET
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