| 型號: | STP19NB20FP |
| 廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述: | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| 中文描述: | N溝道增強模式PowerMESHTM MOSFET的(不適用溝道增強模式MOSFET的) |
| 文件頁數(shù): | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商: | STP19NB20FP |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP19NB20 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| STP22NE10L | CAP,Paper,216uF |
| STP22NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 22A TO-220 STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STP22NS25Z | N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| STB22NS25Z | N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP19NB20FP | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP |
| STP19NF20 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP19NM50N | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP19NM65N | 功能描述:MOSFET N-channel 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| S-TP1G03-T25-512 | 制造商:RadiSys 功能描述:P945GM 1LAN T2500, 512MB |