- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382562 > STP15NK50ZFP (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP15NK50ZFP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| 中文描述： | N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247齊納保護(hù)SuperMESH⑩功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 672K |
| 代理商： | STP15NK50ZFP |
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STP15NK50Z, STP15NK50ZFP, STB15NK50Z, STB15NK50Z-1, STW15NK50Z
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB15NK50Z-1 | N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STP15NK50Z | N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB15NK50Z | N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP15NM60N | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP15NM60ND | 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP15NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP160N3LL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:42nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP160N4LF6 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.9 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:181nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
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