參數資料
型號： STP12NR20
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 12A條（?。﹟ TO - 220AB現有
文件頁數： 4/5頁
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代理商： STP12NR20
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
I
_
GT3
I
I
+
GT1
_
GT1
I
G
C
I
G
C
Junction Temperature [
o
C]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.1
1
10
C
Time (sec)
4/5
Fig 8. Transient Thermal Impedance
Fig 7. Gate Trigger Current vs.
Junction Temperature
Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit
▼▲
6V
A
V
10
R
G
●
●
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
Test Procedure
Ⅰ
Test Procedure
Ⅱ
Test Procedure
Ⅲ
STP12A60
相關PDF資料
PDF描述
STP12NR20FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
STP12PF06 P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP12NB30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NB30FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NM50FP N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
STP12NR20FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
STP12PF06 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP12PF06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, TO-220
STP130N10F3 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 8mOhm 120A STripFET MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50
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