參數(shù)資料
型號: STP12A60
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Bi-Directional Triode Thyristor
中文描述: 雙向可控硅三極管
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 689K
代理商: STP12A60
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
I
_
GT3
I
I
+
GT1
_
GT1
I
G
C
I
G
C
Junction Temperature [
o
C]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.1
1
10
C
Time (sec)
4/5
Fig 8. Transient Thermal Impedance
Fig 7. Gate Trigger Current vs.
Junction Temperature
Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit
▼▲
6V
A
V
10
R
G
▼▲
A
V
10
6V
R
G
▼▲
A
V
10
6V
R
G
Test Procedure
Test Procedure
Test Procedure
STP12A60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP12NR20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB
STP12NR20FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
STP12PF06 P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP12NB30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NB30FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP12A80 制造商:SEMIWELL 制造商全稱:SEMIWELL 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor
STP12IE90F4 功能描述:功率驅(qū)動器IC Swtch Bi Transistr ESBT 900 V 12 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
STP12IE95F4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 950 V - 12A - 0.083 ohm
STP12N120K5 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STP12N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50