參數(shù)資料
型號(hào)： STP120NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.009糯- 120A條DPAK/TO-220 STripFET二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 393K
代理商： STP120NF10
STB120NF10 STP120NF10
2/10
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
0.48
62.5
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
100
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
2
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 60 A
0.009
0.0105
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
=
15 V
I
D
= 60 A
TBD
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
5200
785
325
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB120NH03L N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB120NH03LT4 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB12NK80Z-S N-CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10.5A I2SPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STB12NK80Z N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STB12NK80ZT4 N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP120NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET
STP120NF10D1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:WAFER - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
STP120NH03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STP12A60 制造商:SEMIWELL 制造商全稱:SEMIWELL 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor
STP12A80 制造商:SEMIWELL 制造商全稱:SEMIWELL 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor
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