參數(shù)資料
型號： STP10NK80ZFP
廠商： 意法半導體
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 458K
代理商： STP10NK80ZFP
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP - STW10NK80Z
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Maximum Avalanche Energy vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temp.
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized BVDSS vs Temperature
相關PDF資料
PDF描述
STW11NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STW12NK80Z CONNECTOR ACCESSORY
STW12NK90Z N-CHANNEL 900V - 0.72 ohm - 11A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STW13NK100Z N-CHANNEL 1000V - 0.56 OHM - 13A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STW18NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.27з - 16A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP10NK80ZFP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP
STP10NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.53 Ohm 7A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP10NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP10NM60ND 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP10NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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