參數(shù)資料
型號： STP10NB60SFP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh IGBT
中文描述： N溝道10A條- 600V的-對220FP PowerMesh IGBT的
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： STP10NB60SFP
STGP10NB60SFP
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-sink
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Break-down
Voltage
V
BR(CES)
Emitter Collector Break-down
Voltage
ON
(1)
Symbol
V
GE(th)
V
CE(SAT)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
4.7
62.5
0.5
°C/W
°C/W
°C/W
Test Conditions
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0,
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0,
20
V
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating ,T
j
=25 °C
V
CE
= Max Rating ,T
j
=125 °C
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
10
100
μA
μA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
± 100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
GE
=15V, I
C
= 5 A, Tj= 25°C
V
GE
=15V, I
C
= 10 A, Tj= 25°C
V
GE
=15V, I
C
= 10 A, Tj= 125°C
Min.
2.5
Typ.
Max.
5
Unit
V
Gate Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.15
1.35
1.25
1.7
V
V
V
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
Forward Transconductance
V
CE
= 25 V
,
I
C
=10 A
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
5
S
Input Capacitance
610
pF
Output Capacitance
65
pF
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Charge
12
pF
Q
g
V
CE
= 400V, I
C
= 10 A,
V
GE
= 15V
V
clamp
= 480V, RG= 1k
,
Tj= 125°C
33
nC
I
CL
Latching Current
20
A
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PDF描述
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