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參數(shù)資料
| 型號： | STP1081ABGA-125 |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-256 |
| 文件頁數(shù)： | 2/32頁 |
| 文件大小： | 478K |
| 代理商： | STP1081ABGA-125 |
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10
STP1081
Preliminary
Companion Device for 250/300 MHz UltraSPARC-II Systems
UltraSPARC
-II Data Buffer (UDB-II)
July 1997
Clocking
The UDB-II has two frequency domains, which can be denoted “EBUS_CLK” (for external cache bus clock)
and “SYSCLK” (for system clock). (Figure 3 and Figure 6 show more detail.) EBUS_CLK is for data transfers
between US-II and UDB-II. SYS_CLK is for data transfers between UPA and UDB-II. There is no overlap
between the two domains, meaning that no data is clocked by both clocks at the same time.
The table below shows the interconnect timing between the clocks.
Testability
The UDB-II provides ve signals for supporting the IEEE 1149.1 standard JTAG serial scan interface. This
interface is used for fault coverage testing, boundary, and interconnect testing.
TABLE 6. Clock Interconnect
Clock Mode
EBUS_CLK
SYS_CLK
Unit
1:1
10
ns
2:3
7
10.5
ns
1:2
7
14
ns
Figure 6. Relationship of SYS_CLK to EBUS_CLK
US-II
UDB-II
UPA
A1
A2
B1
B2
SYS_CLK
EBUS_CLK
Key:
A1 = S_REPLY and SYS_DATA (UPA to CPU)
A2 = CNTL and E$_DATA (UDB-II to CPU)
B1 = CNTL and E$_DATA (CPU to UDB-II)
B2 = S_REPLY and SYS_DATA (CPU to UPA)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP1081ABGA-150 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256 |
| STP1091PGA-75 | 2M X 1, CACHE CONTROLLER, CPGA376 |
| STP1100BGA-100 | 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 |
| STP2001QFP | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16 |
| STP2011PGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP1081ABGA-150 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:ASIC |
| STP1091PGA-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Cache Controller |
| STP1091PGA-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Cache Controller |
| STP10LN80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:630 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
| STP10N105K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
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