參數(shù)資料
型號： STN3NF06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.07ohm - 4A條的SOT - 223 STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 286K
代理商： STN3NF06L
STN3NF06L
2/8
THERMAL DATA
(*)
When Mounted on FR-4 board with 1 inch
2
pad, 2 oz of Cu and t
[
10 sec
(**)
When Mounted on minimum footprint
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-pcb
Rthj-pcb
T
l
Thermal Resistance Junction-PCB (*)
Thermal Resistance Junction-PCB (**)
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
(for 10 sec. 1.6 mm from case)
Max
Max
Typ
38
100
260
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
2.8
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 1.5 A
I
D
= 1.5 A
0.07
0.085
0.10
0.12
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
= 1.5 A
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
340
63
30
pF
pF
pF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STN3PF06_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-channel 60 V - 0.20 ヘ - 2.5 A - SOT-223 STripFET⑩ II Power MOSFET
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