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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STN2NF10 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道100V的- 0.23ohm -甲的SOT - 223 STripFET⑩二功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 259K |
| 代理商： | STN2NF10 |
STN2NF10
2/8
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(1
)
DYNAMIC
Rthj-pcb
Rthj-pcb
T
l
Thermal Resistance Junction-PCB
(1 inch
2
copper board)
Thermal Resistance Junction-PCB (min. footprint)
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Typ
50
90
260
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
100
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
2
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 1 A
0.23
0.26
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
>I
D(on)
xR
DS(on)max
I
D
=1A
2.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
280
45
20
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STN3NE06 | N-Channel 60V-0.08Ω-3A - SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(Ｎ溝道功率ＭＯＳＦＥＴ) |
| STN3NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
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| STN790A | MEDIUM CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR |
| STN8815 | Nomadik mobile multimedia application processor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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