| 型號(hào): | STN2N06 |
| 廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述: | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管) |
| 中文描述: | N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管(不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管) |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
| 文件大小: | 85K |
| 代理商: | STN2N06 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STN2NE06 | N-Channel 60V-0.18Ω-2A-SOT-223 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STN2NF06 | N-Channel 60V-0.12Ω-2A-SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STN5PF02V | P-channel 20V - 0.065з - 4.2A - SOT-223 2.5V - Drive STripFET⑩ II Power MOSFET |
| STN690A | Medium Current, High Performance, Low Voltage NPN Transistor |
| STN8810 | Trio of Nomadik application processors bring multimedia to next-generation mobile devices |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STN2N10L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STN2NE06 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STN2NE10 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STN2NE10L | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STN2NE10L_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.33з -2A - SOT-223 |