參數(shù)資料
型號(hào)： STN1NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.7ohm - 1A條的SOT - 223 STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： STN1NF10
3/8
STN1NF10
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
4
5.5
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 50 V I
D
= 1 A V
GS
= 10 V
4
1
1.5
6
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
13
6.5
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
1
4
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 1 A
V
GS
= 0
1.2
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 1 A
V
DD
= 20 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
45
60
2.7
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN2NE10 N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
STN2NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NF10 N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN3NE06 N-Channel 60V-0.08Ω-3A - SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(Ｎ溝道功率ＭＯＳＦＥＴ)
STN3NF06L N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STN1NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NK80Z 功能描述:MOSFET POWER MOSFET Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2222 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:NPN Silicon Transistor
STN2222A 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:NPN Silicon Transistor
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