參數(shù)資料
型號： STL27N15
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150V - 0.045 W - 27A PowerFLAT LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
中文描述： N溝道150伏- 0.045糯-第27A條的PowerFLAT低MOSFET的柵極電荷STripFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： STL27N15
STL27N15
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Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For Resistive
Load
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STL30P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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