參數(shù)資料
型號(hào)： STL22NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.055 ohm - 22A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.055歐姆- 22A條的PowerFLAT⑩低柵極電荷STripFET第二MOSFET的⑩
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 324K
代理商： STL22NF10
3/8
STL22NF10
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(
1
)
The value is rated according R
thj-F
.
(
2
)
The value is rated according R
thj-pcb
.
(
3
)
Pulse width limited by safe operating area.
(
4
)
When Mounted on FR-4 Board of 1 inch2, 2 oz Cu, t<10s.
(
5
)
I
SD
≤
22A, di/dt
≤
300A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
.
(
6
)
Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 11 A, V
DD
= 30V.
(
7
)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 11 A
V
GS
= 10 V
20
45
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 80V I
D
= 22A V
GS
=10V
30
6
10
40
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 11 A
V
GS
= 10 V
45
10
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
5.3
22
A
A
V
SD
(7)
Forward On Voltage
I
SD
= 22 A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
=22 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
100
375
7.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STL27N15 N-CHANNEL 150V - 0.045 W - 27A PowerFLAT LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STL71 MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STL71L71H MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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STL8NH3LL N-CHANNEL 30 V - 0.012 з - 8 A PowerFLAT⑩ ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET⑩ MOSFET
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參數(shù)描述
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STL24A 制造商:Alarm Suppliers 功能描述:
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