參數(shù)資料
型號： STH8NA60FI
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -快速通道增強型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 124K
代理商： STH8NA60FI
Transconductance
Gate Chargevs Gate-sourceVoltage
NormalizedGate ThresholdVoltage vs
Temperature
Static Drain-source On Resistance
CapacitanceVariations
NormalizedOn Resistancevs Temperature
STW8NA60-STH8NA60FI
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相關PDF資料
PDF描述
STH8NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STHS2375A IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設備)接口控制器)
STHS2375L IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設備)接口控制器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STH8NA80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH8NA80FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH8NB90 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩ MOSFET
STH8NB90FI 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STH9N80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218
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