參數(shù)資料
型號： STH10NK60ZFI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 10A條（丁）|對218VAR
文件頁數(shù)： 1/16頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： STH10NK60ZFI
1/16
April 2002
STP10NK60Z/FP, STB10NK60Z/-1
STH10NK60ZFI, STW10NK60Z
N-CHANNEL600V-0.65
-10ATO-220/FP/D
2
PAK/I
2
PAK/TO-247/ISOWATT218
Zener-Protected SuperMESH
Power MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.65
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
VERY GOOD MANUFACTURING
REPEATIBILITY
DESCRIPTION
The SuperMESH
series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established strip-
based PowerMESH
layout. In addition to pushing
on-resistance significantlydown, special care is tak-
en to ensure a very good dv/dt capability for the
most demanding applications. Such series comple-
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-
cluding revolutionary MDmesh
products.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,
ADAPTORS AND PFC
I
LIGHTING
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
Pw
STB10NK60Z
STB10NK60Z-1
STH10NK60ZFI
STP10NK60Z
STP10NK60ZFP
STW10NK60Z
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
< 0.75
< 0.75
< 0.75
< 0.75
< 0.75
< 0.75
10 A
10 A
10 A
10 A
10 A
10 A
115 W
115 W
35 W
115 W
35 W
156 W
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP10NK60Z
P10NK60Z
TO-220
TUBE
STP10NK60ZFP
P10NK60ZFP
TO-220FP
TUBE
STB10NK60ZT4
B10NK60Z
D
2
PAK
TAPE & REEL
STB10NK60Z
B10NK60Z
D
2
PAK
TUBE
(ONLY UNDER REQUEST)
STB10NK60Z-1
B10NK60Z
I
2
PAK
TUBE
STH10NK60ZFI
H10NK60FI
ISOWATT218
TUBE
STW10NK60Z
W10NK60Z
TO-247
TUBE
TO-220
TO-220FP
123
I
2
PAK
1
2
3
1
3
D
2
PAK
1
2
3
TO-247
1
2
3
ISOWATT218
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB10NK60ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
STH10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH10NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH10NC60 N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH11020 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH11022 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA
STH110N10F7-2 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STH110N10F7-6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
STH12N120K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:690 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1
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