參數(shù)資料
型號： STGY40NC60VD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH?? IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V的- Max247非常快PowerMESH？？ IGBT的
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代理商： STGY40NC60VD
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STGY40NC60VD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)
Table 7: Dynamic
Symbol
Parameter
g
fs
(1)
Forward Transconductance
C
ies
C
oes
C
res
Reverse Transfer
Capacitance
Q
g
Q
ge
Q
gc
Gate-Collector Charge
I
CL
Turn-Off SOA Minimum
Current
Table 8: Switching On
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Eon
(2)
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Eon
(2)
2) Eon is the turn-on losses when a typical diode is used in the test circuit in figure 2. If the IGBT is offered in a package with a co-pack diode,
the co-pack diode is used as external diode. IGBTs & DIODE are at the same temperature (25°C and 125°C)
Table 9: Switching Off
Symbol
Parameter
Test Conditions
t
r
(V
off
)
Off Voltage Rise Time
V
cc
= 390 V, I
C
= 40 A,
R
GE
= 3.3
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
(see Figure 19)
t
f
Current Fall Time
(3)Turn-off losses include also the tail of the collector current.
Test Conditions
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 20 A
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
Min.
Typ.
20
Max.
Unit
S
Input Capacitance
Output Capacitance
4550
350
105
pF
pF
pF
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
V
CE
= 390 V, I
C
= 40 A,
V
GE
= 15V,
(see Figure 21)
214
30
96
nC
nC
nC
V
clamp
= 480 V
,
Tj = 150°C
R
G
= 100
,
V
GE
= 15V
200
A
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 390 V, I
C
= 40 A
R
G
= 3.3
, V
GE
= 15V, Tj= 25°C
(see Figure 19)
Min.
Typ.
Max.
Unit
ns
ns
A/μs
μJ
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
43
17
2060
330
450
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
V
CC
= 390 V, I
C
= 40 A
R
G
= 3.3
, V
GE
= 15V, Tj=
125°C
(see Figure 19)
42
19
1900
640
ns
ns
A/μs
μJ
Min.
Typ.
Max.
Unit
25
ns
t
d
(
off
)
Turn-off Delay Time
140
ns
45
ns
μ
J
μ
J
ns
E
off
(3)
Turn-off Switching Loss
720
970
E
ts
Total Switching Loss
1050
1420
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
Off Voltage Rise Time
V
cc
= 390 V, I
C
= 40 A,
R
GE
= 3.3
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
(see Figure 19)
60
Turn-off Delay Time
170
ns
Current Fall Time
77
ns
μ
J
μ
J
E
off
(3)
Turn-off Switching Loss
1400
E
ts
Total Switching Loss
2040
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH12NA60 Supercapacitor; Capacitance:0.47F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:5mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
STH33N20 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH5NA100FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
STW5NA100 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
STH5NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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參數(shù)描述
STGY50NB60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
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STGY50NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 600V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGY80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開關(guān)能量:2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:414nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:84ns/280ns 測試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:85ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30
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