參數(shù)資料
型號(hào): STGY40NC60V
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Solid; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:220uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:0.4ohm; Operating Temp. Max:105 C; Operating Temp. Min:-55 C RoHS Compliant: Yes
中文描述: N溝道50A條- 600V的- Max247非??霵owerMESH?? IGBT的
文件頁(yè)數(shù): 8/11頁(yè)
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代理商: STGY40NC60V
STGY40NC60VD
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Figure 19: Test Circuit for Inductive Load
Switching
Figure 20: Switching Waveforms
Figure 21: Gate Charge Test Circuit
Figure 22: Diode Recovery Times Waveform
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGY40NC60VD N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH?? IGBT
STH12NA60 Supercapacitor; Capacitance:0.47F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:5mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
STH33N20 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH5NA100FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
STW5NA100 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGY40NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 600V 50A Max247 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGY50NB60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGY50NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 600V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGY80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,80A 功率 - 最大值:469W 開(kāi)關(guān)能量:2.1mJ(開(kāi)),1.5mJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:414nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:84ns/280ns 測(cè)試條件:400V,80A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):85ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30