參數(shù)資料
型號(hào)： STGW30NB60HD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 91K
代理商： STGW30NB60HD
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.7
5.3
0.185
0.209
D
2.2
2.6
0.087
0.102
E
0.4
0.8
0.016
0.031
F
1
1.4
0.039
0.055
F3
2
2.4
0.079
0.094
F4
3
3.4
0.118
0.134
G
10.9
0.429
H
15.3
15.9
0.602
0.626
L
19.7
20.3
0.776
0.779
L3
14.2
14.8
0.559
0.582
L4
34.6
1.362
L5
5.5
0.217
M
2
3
0.079
0.118
P025P
TO-247 MECHANICAL DATA
STGW30NB60HD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW30NC120HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-CHANNEL IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW30NC120HD_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1200V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH TM IGBT
STGW30NC120HD_0710 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1200V - 30A - TO-247 very fast PowerMESH IGBT
STGW30NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 30A 600v IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW30NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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