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參數(shù)資料
| 型號： | STGW20NB60KD |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT |
| 中文描述： | N溝道20A條- 600V的-到247短路證明PowerMESH？ IGBT的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | STGW20NB60KD |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
H
)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
I
C
= 20 A
V
GE
= 15 V
115
32
170
75
0.4
0.9
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
H
)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 20 A
V
GE
= 15 V
190
55
210
140
0.7
1.25
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
COLLECTOR-EMITTER DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
f
I
fm
V
f
Forward Current
Forward Current pulsed
20
160
A
A
Forward On-Voltage
I
f
= 20 A
I
f
= 20 A
I
f
= 20 A
dI/dt = 100 A/
μ
S
T
j
= 125
o
C
V
R
= 200 V
T
j
= 125
o
C
1.50
1.25
2.0
V
V
t
rr
Q
rr
I
rrm
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
(
) Pulse width limited by max. junction temperature
(
H
) Includerecovery losses on the STTA2006 freewheeling diode
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(**)Losses Include Also The Tail(Jedec Standardization)
100
300
5.9
nS
nC
A
Thermal Impedance
STGW20NB60HD
3/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGW20NB60H | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW20NB60K | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT |
| STGW30NB60HD | N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW50NB60H | N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW50NB60M | N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STGW20NC60VD | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGW20V60DF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGW20V60F | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube |
| STGW25H120DF | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SPEED 25 A, 1200 V, TRENCH GATE FIELD STOP IGBT - Bulk |
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