參數(shù)資料
型號(hào)： STGP7NB60F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的- T0代- 220 / IGBT的DPAK封裝PowerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 330K
代理商： STGP7NB60F
STGP7NB60F - STGD7NB60F
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Fig. 2:
Test Circuit For Inductive Load Switching
Fig. 1:
Gate Charge test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD7NB60H-1 N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60HT4 N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT
STGD7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD7NB60KT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
STGP7NB60KDFP CAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5VCAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5V; Capacitance:45mF; Voltage rating, DC:4.5V; Capacitor dielectric type:Electronic; Series:BestCap; Temp, op. max:70(degree C); Temp, op. min:-20(degree C);
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP7NB60FD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60H 功能描述:IGBT 晶體管 RO 511-STGP7NB60K RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP7NB60HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP7NB60HDFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60K 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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