參數(shù)資料
型號(hào)： STGE50NB60HD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V的IGBT的1000V的集電極PowerMESH
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： STGE50NB60HD
Fig. 1
: Gate Charge test Circuit
Fig. 3
: SwitchingWaveforms
Fig. 2
: TestCircuit For InductiveLoad Switching
STGE50NB60HD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGF10NB60SD N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT
STGP14NC60KD Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60KD N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGE50NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-chnl 50A-600V PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGE50NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600volt 50 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 20A 30W TO220FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:SADA_600 V, 10 A high speed trench gate field-stop IGBT
STGF10NB60SD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10NB60SD_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT
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