參數(shù)資料
型號(hào)： STGD7NB60H-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的IGBT的像是iPak PowerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： STGD7NB60H-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(off)
t
f
E
off
(**)
E
ts
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(off)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
) Pulse width limited by max. junction temperature
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(**)Losses Include Also The Tail(Jedec Standardization)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
VCC = 480 V
R
GE
= 10
I
C
= 7 A
V
GE
= 15 V
85
20
75
70
85
130
ns
ns
ns
ns
μ
J
μ
J
ns
ns
ns
ns
μ
J
μ
J
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
VCC = 480 V
R
GE
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 7 A
V
GE
= 15 V
150
50
110
110
220
290
Thermal Impedance
STGD7NB60H-1
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD7NB60HT4 N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT
STGD7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD7NB60KT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
STGP7NB60KDFP CAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5VCAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5V; Capacitance:45mF; Voltage rating, DC:4.5V; Capacitor dielectric type:Electronic; Series:BestCap; Temp, op. max:70(degree C); Temp, op. min:-20(degree C);
STGD7NB60K N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD7NB60HT4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT
STGD7NB60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD7NB60K_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
STGD7NB60KT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60MT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*