參數(shù)資料
型號(hào): STGD7NB60F
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
中文描述: N溝道第7A - 600V的- T0代- 220 / IGBT的DPAK封裝PowerMESH
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 330K
代理商: STGD7NB60F
STGP7NB60F - STGD7NB60F
6/8
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.20
2.40
0.087
0.094
A1
0.90
1.10
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.90
0.025
0.035
B2
5.20
5.40
0.204
0.213
C
0.45
0.60
0.018
0.024
C2
0.48
0.60
0.019
0.024
D
6.00
6.20
0.236
0.244
E
6.40
6.60
0.252
0.260
G
4.40
4.60
0.173
0.181
H
9.35
10.10
0.368
0.398
L2
0.8
0.031
L4
0.60
1.00
0.024
0.039
V2
0
o
8
o
0
o
0
o
P032P_B
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60H-1 N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60HT4 N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT
STGD7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD7NB60KT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD7NB60FT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60H 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60H-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60HT4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT
STGD7NB60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT