參數(shù)資料
型號(hào)： STGB7NC60HD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/DPAK非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
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代理商： STGB7NC60HD
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
4/15
Table 10: Collector-Emitter Diode
Symbol
Parameter
Test Condiction
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
f
Forward On-Voltage
If = 3.5 A
If = 3.5 A, Tj = 125
°
C
1.3
1.1
1.9
V
V
t
rr
t
a
Q
rr
I
rrm
S
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
Softness factor of the diode
If = 7 A, V
R
= 40 V,
T
j
= 25
°
C, di/dt = 100 A/μs
37
22
40
2.1
0.68
ns
ns
nC
A
t
rr
t
a
Q
rr
I
rrm
S
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
Softness factor of the diode
If = 7 A, V
R
= 40 V,
T
j
= 125
°
C, di/dt = 100 A/μs
61
34
98
3.2
0.79
ns
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB7NC60HDT4 N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGF7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD3NB60SDT4 N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB7NC60HDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
STGB8NC60KD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
STGB8NC60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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