參數(shù)資料
型號： STGB7NB60KT4
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:35pF RoHS Compliant: Yes
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第7A一（c）|至263AB
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文件大小： 270K
代理商： STGB7NB60KT4
3/14
STGP7NB60K/FP/STGB7NB60K/STGD7NB60K
MAIN PARAMETERS
Symbol
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 15V, Ic = 7 A
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Transconductance
3.7
S
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
495
77
13
pF
pF
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
TotalGate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 480V, I
C
= 7 A,
V
GE
= 15V
32.7
5.9
18.3
nC
nC
nC
tscw
Short Circuit Withstand Time
V
ce
= 0.5 V
BR(CES)
, V
GE
=15V
,
Tj = 125
°
C , R
G
= 10
V
CC
= 480 V, I
C
= 7 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
V
cc
= 480 V, I
C
= 7 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
10
μ
s
t
d(on)
t
r
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
Turn-on Delay Time
Rise Time
15
6
ns
ns
Cross-over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
TotalSwitching Loss
85
20
75
70
85
235
ns
ns
ns
ns
μ
J
μ
J
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
Cross-over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
TotalSwitching Loss
V
cc
= 480 V, I
C
= 7 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Tj = 125
°
C
150
50
110
110
220
405
ns
ns
ns
ns
μ
J
μ
J
相關PDF資料
PDF描述
STGD3NB60HD N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60HDT4 N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60HT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA RoHS Compliant: No
STGD3NB60KD SIDACTOR - TECCOR P0640SC MC
STGD3NB60M 58V SURGECTOR, DO-214AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STGB7NC60HDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
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