參數(shù)資料
型號(hào)： STF3NK80Z
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
中文描述： N溝道800V的- 3.8W -包2.5a TO-220/FP/DPAK/IPAK齊保護(hù)的SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大?。?/td> 608K
代理商： STF3NK80Z
STP3NK80Z - STF3NK80Z - STD3NK80Z - STD3NK80Z-1
2/13
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
( ) Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
≤
2.5A, di/dt
≤
200 A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
(*) Limited only by maximum temperature allowed
THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
GATE-SOURCE ZENER DIODE
Symbol
BV
GSO
Gate-SourceBreakdown
Voltage
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be
applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and
cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the
usage of external components.
Parameter
Value
Unit
STP3NK80Z
STF3NK80Z
STD3NK80Z
STD3NK80Z-1
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
TOT
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
800
V
800
V
Gate- source Voltage
± 30
V
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
Drain Current (pulsed)
2.5
2.5 (*)
2.5
A
1.57
1.57 (*)
1.57
A
10
10 (*)
10
A
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5K
)
Peak Diode Recovery voltage slope
70
25
70
W
0.56
0.2
0.56
W/°C
V
ESD(G-S)
dv/dt (1)
V
ISO
T
j
T
stg
2
KV
4.5
V/ns
Insulation Withstand Voltage (DC)
-
2500
-
V
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
-55 to 150
°C
TO-220
TO-220FP
DPAK
IPAK
1.78
100
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
1.78
5
°C/W
°C/W
°C
62.5
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
Parameter
Max Value
2.5
Unit
A
170
mJ
Parameter
Test Conditions
Igs= ± 1mA (Open Drain)
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD3NK80Z N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
STD3NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
STP3NK80Z N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
STD3NK90ZFP N-CHANNEL 900V - 4.1ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STP3NK90Z N-CHANNEL 900V - 4.1ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STF40100C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應(yīng)商器件封裝:ITO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STF40120C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:120V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:970mV @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 120V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應(yīng)商器件封裝:ITO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STF40150C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.43V @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:250μA @ 150V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應(yīng)商器件封裝:ITO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STF4045AF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 36A I(C)
STF4045AV 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 36A I(C)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*