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參數(shù)資料
| 型號： | STF3514C-48 |
| 廠商： | ALLIED CONTROLS INC |
| 元件分類： | 功率/信號繼電器 |
| 英文描述： | POWER/SIGNAL RELAY, 4PDT, MOMENTARY, 0.018A (COIL), 48VDC (COIL), 864mW (COIL), 5A (CONTACT), 29VDC (CONTACT), PANEL MOUNT |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 630K |
| 代理商： | STF3514C-48 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STF3514C-6 | POWER/SIGNAL RELAY, 4PDT, MOMENTARY, 0.15A (COIL), 6VDC (COIL), 900mW (COIL), 5A (CONTACT), 29VDC (CONTACT), PANEL MOUNT |
| STH51002Z | 1280 nm, LASER DIODE |
| STI-51-250N | 2 mm2, BRASS, WIRE TERMINAL |
| SIM-51T-250N | 2 mm2, BRASS, TIN FINISH, TAB TERMINAL |
| STI-01T-110N | 0.5 mm2, BRASS, TIN FINISH, WIRE TERMINAL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STF35N60DM2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 |
| STF35N65M5 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STF38N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STF3HNK90Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STF3LN62K3 | 功能描述:MOSFET N-ch 620 V 2.5 Ohm 2.5 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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