參數(shù)資料
型號: STF2NK60Z
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Zener-Protected SuperMESH MOSFET
中文描述: 齊納MOSFET的保護(hù)SuperMESH
文件頁數(shù): 2/16頁
文件大?。?/td> 525K
代理商: STF2NK60Z
STQ2NK60ZR-AP - STP2NK60Z - STF2NK60Z - STD2NK60Z-1
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Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
( ) Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
1.4A, di/dt
200A/μs, V
DD
V
(BR)DSS
, T
j
T
JMAX.
(*) Limited only by maximum temperature allowed
Table 4: Thermal Data
Table 5: Avalanche Characteristics
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
°
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
Table 6: Gate-Source Zener Diode
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device
s
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be
applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and
cost-effective intervention to protect the device
s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the
usage of external components.
Parameter
Value
TO-92
Unit
TO-220 /
IPAK
TO-220FP
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
TOT
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
600
V
600
V
Gate- source Voltage
± 30
V
Drain Current (continuous) at T
C
= 25
°
C
Drain Current (continuous) at T
C
= 100
°
C
1.4
0.4
1.4 (*)
A
0.77
0.25
0.77 (*)
A
Drain Current (pulsed)
5.6
1.6
5.6 (*)
A
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
Gate source ESD (HBM-C= 100pF, R=1.5k
)
45
3
20
W
0.36
0.025
0.16
W/
°
C
V
ESD(G-S)
V
ISO
dv/dt (1)
T
j
T
stg
1500
V
Insulation Withstand Voltage (DC)
2500
V
Peak Diode Recovery voltage slope
4.5
V/ns
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
-55 to 150
°
C
TO-220/IPAK
2.77
100
--
TO-220FP
6.25
100
--
TO-92
--
120
40
260
Unit
°
C/W
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-case
Rthj-amb
Rthj-lead
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Junction-lead Max
Maximum Lead Temperature For Soldering
Purpose
300
Parameter
Max Value
1.4
Unit
A
90
mJ
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
BV
GSO
Gate source
Breakdown Voltage
I
gs
= ± 1 mA
(Open Drain)
30
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP2NK60Z Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STQ2NK60ZR-AP Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD2NK70Z N-CHANNEL 700 V - 6 W - 1.6 A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STD2NK70Z-1 N-CHANNEL 700 V - 6 W - 1.6 A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STD30NE06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STF30100C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 100V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應(yīng)商器件封裝:ITO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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STF30120CR 功能描述:DIODE ARRAY GP 120V ITO220AB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):120V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):970mV @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:800μA @ 120V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應(yīng)商器件封裝:ITO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STF30150C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.36V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 150V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應(yīng)商器件封裝:ITO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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