參數(shù)資料
型號： STE110NA20
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 熱敏電阻
英文描述： NTC Thermistor; Resistance:39ohm; Thermistor Tolerance:+/- 5%; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes
中文描述： ? -快速通道增強型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： STE110NA20
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Case-heatsink With Conductive
Grease Applied
Max
Max
0.27
0.05
o
C/W
o
C/W
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
55
A
E
AS
500
mJ
E
AR
175
mJ
I
AR
32.5
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 1 mA
V
GS
= 0
200
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125
o
C
400
200
±
400
μ
A
mA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 1 mA
2.25
3
3.75
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
I
D
= 55 A
I
D
= 55 A
T
c
= 100
o
C
0.015
0.019
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
110
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
=15 V
I
D
= 55 A
38
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
12.9
2870
980
nF
pF
pF
STE110NA20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STE15NA100 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOS晶體管)
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參數(shù)描述
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