參數(shù)資料
型號： STDL130
英文描述： STDL130|Data Sheet
中文描述： STDL130 |數(shù)據(jù)資料
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代理商： STDL130
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Samsung ASIC
5-63
STDL130
DPSRAMBW_HDL
High-Density Dual-Port Synchronous Static RAM with Bit-Write
Application Notes
1.
Permitting over-the-cell routing
In chip-level layout, over-the-cell routing in DPSRAMBW_HDL is permitted for only Metal-5 and Metal-6
layers.
2.
Incoming power bus should be adjusted to guarantee NOT more than 10% voltage drop at typical-case
current levels.
3.
Power stripe should be tapped from both sides of DPSRAMBW_HDL.
4.
Contention mode in same address access
In DPSRAMBW_HDL, simultaneous operation by both ports on the same memory address, as
write/write, write/read or read/write operation, causes a contention problem. Simultaneous operation is
defined as a state in which both ports are enabled, both address buses are equal at the rising edge of
CK. DPSRAMBW_HDL has no scheme preventing the contention. Due to simultaneous operation,
silicon will behave unpredictably. A write operation cannot end and data appearing at outputs may not
be valid. Please refer to the timing diagrams if you want to avoid the contention mode between both
ports. In write/write operation, the data stored at the current address will be unpredictable. In write/read
or read/write operation, the read port is invalid while the write port is still valid. If you want to avoid the
contention mode, you have to give the value greater than tcc (clock-to-clock setup time). However,
simultaneous read/read is allowable without any restrictions.
5.
A byte-write or word-write operation with DPSRAMBW_HDL
Refer to the function table. In byte-write operation, the number of BWEN[] signal bus should be divided
by a byte (8) and eight BWEN signals should be tied to a connection wire. In this case, DI[] bus is
controlled by a byte-wired BWEN signal instead of each BWEN bit. In word-write operation, the
functionality is exactly same as DPSRAM_HDL. If all of BWEN[] signal is tied to low state, DI[] bus is
only controlled by WEN.
6.
Power reduction during standby mode.
The standby power is measured on the condition that only CSN is in disable mode and other signals are
in operation mode except that OEN is tied to low. If any of signals are activated while in standby mode,
the power will be consumed because the input switching activities are occurred by the signal transition.
Therefore, to reduce unnecessary power consumption, you should keep stable for all signals while in
standby mode.
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