參數(shù)資料
型號： STD7NK40Z-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述： N溝道400V - 0.85ohm - 5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK齊納保護(hù)SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 11/13頁
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代理商： STD7NK40Z-1
11/13
STP7NK40Z - STP7NK40ZFP - STD7NK40Z - STD7NK40Z-1
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A3
0.7
1.3
0.027
0.051
B
0.64
0.9
0.025
0.031
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
B3
0.85
0.033
B5
0.3
0.012
B6
0.95
0.037
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
15.9
16.3
0.626
0.641
L
9
9.4
0.354
0.370
L1
0.8
1.2
0.031
0.047
L2
0.8
1
0.031
0.039
A
C
C
A
H
A
D
L
L2
L1
1
3
=
B
B
B
B
E
G
=
=
B
2
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
0068771-E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD888 HIGH CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR
STDD15-04WFILM Resettable Fuse; Series:30R; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:30V; Holding Current:0.9A; Tripping Current:1.8A; Length:12.2mm; Lead Pitch:5.1mm; Initial Resistance Min:0.07ohm; Initial Resistance Max:0.22ohm RoHS Compliant: NA
STDD15-04W LOW CAPACITANCE DETECTION DIODE
STDD15-05W LOW CAPACITANCE DETECTION DIODE
STDD15-07S LOW CAPACITANCE DETECTION DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STD7NM50N 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM50N-1 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM64N 功能描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:640V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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