參數(shù)資料
型號(hào)： STD4NC50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 500V - 1.3 ohm - 3.7 A TO-251 PowerMESH MOSFET
中文描述： ? -頻道500V - 1.3歐姆- 3.7到251 PowerMESH MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： STD4NC50
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
2.5
100
1.5
275
o
C/W
oC/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
3.7
A
E
AS
220
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
500
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125
o
C
1
50
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 1.9 A
2
3
4
V
V
GS
= 10V
1.3
1.5
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
3.7
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 1.9 A
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
700
85
9
pF
pF
pF
STD4NC50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STP4NK50Z N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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參數(shù)描述
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