參數(shù)資料
型號： STD4NB40-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 400V - 1.47ohm - 4A DPAK/IPAK PowerMESH⑩ MOSFET
中文描述： N溝道400V - 1.47ohm - 4A條的DPAK /像是iPak PowerMESH⑩MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 449K
代理商： STD4NB40-1
STD4NB40/STD4NB40-1
2/10
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
2.1
100
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
275
°C
Parameter
Max Value
4
Unit
A
230
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
400
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 2.3 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
1.47
1.8
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 2.3 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
2.4
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
405
pF
Output Capacitance
72
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
9
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD4NB40 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STD4NC50 N - CHANNEL 500V - 1.3 ohm - 3.7 A TO-251 PowerMESH MOSFET
STD4NK50Z-1 Multiconductor Paired ScTP Patch Cable; Number of Conductors:8; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:7 x 32; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:4; Conductor Material:Copper
STD4NK50 10 AMP DPDT MINIATURE POWER RELAY
STP4NK50ZFP N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD4NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 1.3 ohm - 3.7 A TO-251 PowerMESH MOSFET
STD4NC50_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
STD4NC50-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.7A I(D) | TO-251AA
STD4NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，SuperMESH? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 歐姆 @ 1.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:601pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD4NK50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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